题目 / 答案提交正确答案
GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）
A.正确
B.错误
正确答案：A
关键字 浏览量：次
上一篇：砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）
下一篇：化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）
相关问题